韩国豪掷81万亿韩元加码AI芯片，计划5年内DRAM产能翻倍

6月29日，韩国官方正式宣布大幅加码AI相关芯片产业的投入规模，升级本土产能布局，以巩固其在高端存储芯片领域的领先优势，并试图拖住中国本土存储厂商的追赶脚步。

据韩国当地媒体报道，总统李在明在产业会议上公开表示，韩国必须加快新建芯片生产基地，才能跟上全球爆发的AI存储需求。他指出，现有已投产工厂周边水资源供给和配套基建已逼近承载极限，难以支撑进一步扩张。李在明强调，全球芯片与AI领域的竞争已进入白热化，韩国只有比所有对手更快落地新工厂、跑出产能增量，才能守住来之不易的领先地位。

具体投入方面，韩国官方公布总规模81万亿韩元（约合人民币4500亿元）的专项投资，全部定向用于升级扩建先进芯片封装工厂。同时，在总额800万亿韩元的国家级芯片集群大项目中，三星和SK海力士将各自新建2座高端芯片制造工厂，总产能规划远超此前行业预期。

韩国产业部相关负责人表示，依托此次扩产计划，韩国计划在五年内将本土DRAM芯片总产能翻一倍。

出口数据侧面印证了韩国半导体的强劲势头。韩国6月全品类出口同比预计增长61.0%，超过5月的53.4%，创下1978年10月以来单月出口最快增速。该轮出口高增长的核心动力全部来自三星电子、SK海力士等头部芯片厂商——全球AI投资热潮大幅推高了HBM等高端存储芯片的售价，韩系厂商出货量和营收同步暴涨，直接拉抬了全国出口表现。

这一轮扩产计划的实际执行速度和最终产能释放节奏，将直接影响2027至2028年全球存储市场的供需平衡。韩国选择在价格高位大手笔扩产，既是巩固优势的进攻姿态，也是对未来市场周期波动的一次豪赌。