前两年AI芯片市场的最大瓶颈是GPU算力，而如今，瓶颈已经悄然转移——内存，成了制约AI服务器性能与产能的关键命门。
过去一年间，内存价格经历了5到10倍的暴涨，这一轮“超级周期”直接让三星、SK海力士和美光三家存储巨头的业绩炸裂。以美光最新财报为证，其内存芯片毛利率已飙升至约85%。有网友戏称“这比卖白粉还赚钱”——虽是调侃，却道出了行业的极端景气。对比之下，台积电作为全球AI芯片代工之王，毛利率“仅”在60%以上，同样傲视群雄，但在存储厂商面前也只能甘拜下风。
面对如此暴利的诱惑，芯片制造龙头台积电终于坐不住了。
台积电的“曲线入局”：不建厂、玩堆叠
台积电进军内存市场，并没有选择三星那种动辄投资上千亿美元自建晶圆厂的路径——那既不现实，也不符合其轻资产代工逻辑。它的策略是联手华邦电子，共同开发AI内存。
双方未公布合作细节，但从已知信息来看，华邦电子虽规模不及三星乃至国内的长鑫存储，但好歹拥有DRAM生产经验。而台积电的优势在于其深厚的WOW（Wafer On Wafer）晶圆堆叠技术与先进封装能力。简单来说，就是将华邦提供的内存芯片，与台积电自身先进制程的逻辑芯片进行3D堆叠和一体化封装。
这套方案的想象空间在于：它未必能从三星、海力士手中抢下多少独立内存市场份额，但整合了内存的AI芯片（类似HBM与GPU合体）恰恰是当前大模型训练的刚需。台积电借此切入内存价值链，利润率甚至可能超过其传统代工业务。
英特尔同样虎视眈眈：ZAM内存剑指HBM痛点
不止台积电，老牌芯片巨头英特尔也对AI内存市场垂涎三尺。尽管前几年英特尔无奈卖掉了闪存和傲腾业务，错失了一个万亿级市场，但它在新型内存技术上并未死心。
此前的消息显示，英特尔正联合软银子公司研发一种名为ZAM的内存技术。与HBM一样，ZAM也采用芯片堆叠方案，但核心差异在于布线拓扑结构——它采用交错互连和“Z字形”对角线布线，以实现更优的芯片堆叠布局。
相比当前HBM内存，ZAM宣称优势明显：单芯片容量可达512GB，远超现有HBM规格，同时功耗还降低40%～50%。这两个指标恰恰是当前HBM在超大模型训练中最头疼的短板。
据悉，马斯克推出TeraFab芯片工厂计划后，英特尔也有意与其合作推动ZAM内存量产。但留给英特尔的时间窗口并不宽裕——如果两三年内仍无法落地，届时三星扩产、国内长鑫和长江存储的产能爬坡将大幅缓解供需矛盾，内存市场届时可能重新进入杀价周期。
个人观察：这一轮“内存狂欢”能持续多久？
在我看来，存储巨头当前的高毛利，本质上是供需错配和产能控制策略共同作用的结果，并非真正的技术护城河。台积电选择以“堆叠整合”而非“自主制造”的方式切入，是一种务实且高杠杆的策略——既分享了红利，又规避了巨额定投风险。
而英特尔的ZAM技术若真能如期量产，确有改写HBM格局的可能性，但“实验室优势”与“大规模量产”之间隔着巨大的工程化鸿沟。再加上三星、海力士持续加码扩产，以及国内厂商2028年前后的产能释放，这一轮暴利周期恐怕不会永远持续。谁能卡住时间节点，谁才是最终的赢家。
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